根据实测,三星单片机一般都有当VDD电压大于0.7V时其内部RAM数据保持原数据不变的特性,根据此特性,采用以下方法即可实现三星单片机断电RAM数据不丢失:

设计电路时,将单片机的VDD电源电路与其它外电路隔离开来,并根据RAM保持时间长短在VDD端并接一个较大的电解电容以保持其电压,再者IO驱动设计上要保证单片机各外部IO端口尽可能的实现微电流输出,以免影响VDD电源的稳定性.

设置一个检测电源断掉的快速中断入口,当单片机检测到电源掉电时马上进入中断,把所有IO输出电流关闭,以最大限度的减少漏出电流消耗,并设置几个特定的RAM为特定的数据,经方便再次上电时进行检测比较,然后进入STOP模式等待再次上电.

再次上电后,复位初始化程序模块比较上述所说的几个特定RAM的特定数据是不是正确,如果正确则说明掉电RAM保持可靠,则继续执行,否则就清掉进行原始上电复位操作,免得误动作 .

以上方法在S3F9454中实测通过,其它芯片需实测决定,道理基本相同.